1971年にLeon Chuaによって最初に理論化されたmemristorは、電荷と磁束鎖交の間に非線形関係を作ることができる4番目の基本回路要素です。 これは、不足している非線形受動2端子電気部品と見なされました。

メモリスタの電気抵抗は、装置を流れる電流の履歴に基づいて変化します。 memristorは、電源を切ったときの最新の電気抵抗を「記憶」しているため、不揮発性メモリの一種です。

メモリ用語、非線形